あらまし
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WSix-CVDプロセスの反応機構―WF6/SiH4，WF6/Si2H6反応系の比較― 齊藤 丈靖 霜垣 幸浩 江頭 靖幸 小宮山 宏 菅原 活郎 高広 克己 永田 晋二 山口 貞衛 誌名 電子情報通信学会論文誌 C Vol.J78-C2 No.5 pp.221-229 発行日: 1995/05/25 Online ISSN: DOI: Print ISSN: 0915-1907 論文種別: 特集論文 (集積化配線技術論文特集) 専門分野: メタルCVD キーワード: ステップカバレッジ, 付着確率, ラジカル連鎖反応, 膜組成, 予備加熱, 本文: PDF(719.4KB)>>
あらまし: WF6とSiH4およびSi2H6を原料ガスとするタングステンシリサイドChemical Vapor Deposition（WSix-CVD）プロセスに対して，外熱形の円筒形反応器を用いた反応機構の解析を行った．反応器中の反応場の膜析出面積と反応場の体積の比（S/V比と称される）を変化させたことによる製膜形態の変化から，製膜反応の初期過程がラジカル連鎖反応に支配されていることを明らかにした．また，反応器入口で気相反応を予備励起する新しいWSix膜合成プロセスを考案した．その結果，膜組成の制御に成功し，均一なステップカバレッジと十分な膜組成（WSi2.5）を兼ね備えたWSix膜の合成に成功した． | |||||
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