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外部電界を受けた量子箱構造における電子の複素固有状態
辻 寧英 早田 和弥 小柴 正則
誌名
電子情報通信学会論文誌 C
Vol.J75-C1
No.8
pp.542-548 発行日: 1992/08/25 Online ISSN:
DOI: Print ISSN: 0915-1893 論文種別: 論文 専門分野: 量子エレクトロニクス キーワード: 量子箱構造, 外部電界, 重み付けポテンシャル法, 複素固有状態,
本文: PDF(387KB)>>
あらまし:
量子箱構造における電子の固有状態を解析するための有効な手法として,既に1次元系(細線構造)に適用されている重み付けポテンシャル法(Weighted Potential Method;WPM)を0次元系(箱構造)へ適用し,ポテンシャル障壁の高さが有限な量子箱構造に,任意方向から外部静電界が印加された場合に対して具体的定式化ならびに系統的な解析を行っている.ここでは,電界が強くなったときに電子が障壁領域をトンネリングすることを考慮に入れ,複素固有状態としての取扱いを行っている.そのため,電子の存在寿命の定量的評価も可能になっている.また,井戸領域と障壁領域で有効質量が異なる実際的な構造についても検討を行っている.その結果,電子をより多くの方向へ量子化することにより電界による固有エネルギーの変化がより顕著になることなどを明らかにしている.
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