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IEICE Trans - M<SUB>2</SUB>O-Al<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB>-SiO<SUB>2</SUB>膜を用いたpNa，pK用ISFET

M2O-Al2O3-SiO2膜を用いたpNa，pK用ISFET

庄子　習一
江刺　正喜
松尾　正之

誌名
電子情報通信学会論文誌 C   Vol.J68-C    No.6    pp.475-481
発行日: 1985/06/25
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Print ISSN: 0373-6113
論文種別: 論文
専門分野: 計測・応用工学
キーワード: 


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あらまし: 
生体計測を目的としたpNa，pK用ISFETの性能を向上させるため，そのイオン感応膜であるM2O-Al2O3-SiO2（MAS，M:アルカリ金属）膜のイオン選択性について研究を行った．MAS膜はpNa，pK用のガラス電極の材料として用いられているものであり，そのイオン選択性はMAS膜の組成に依存することが知られている．そこで，pNa，pK用ISFETのイオン選択性を最大にするため，MAS膜ゲートISFETのMAS膜組成を変化させイオン選択性を測定し，両者の関係を調べた．その結果，MAS膜ゲートISFETのNa+-K+イオン間の選択性はMAS膜のアルカリ金属の種類とアルカリ金属，アルミニウムの含有比の両方に依存することが確められ，pNa，pK用ISFETのイオン感応膜として最適な組成を決定することができた．pNa用のISFETとしてはアルカリ金属としてLiを含むLAS膜をイオン感応膜として用いK+イオンに対するNa+イオン選択性が約200倍で低ドリフト長寿命のものが実現できた．また，pK用ISFETとしてもKを含むKAS膜を用いることにより，Na+イオンに対するK+イオン選択性が約40倍のものが得られた．