あらまし
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MOS-FETを用いた微小容量変化検出回路 阪口 清和 山本 和夫 前田 成欣 誌名 電子情報通信学会論文誌 C Vol.J67-C No.10 pp.683-690 発行日: 1984/10/25 Online ISSN: DOI: Print ISSN: 0373-6113 論文種別: 論文 専門分野: キーワード: 本文: PDF(570.2KB)>>
あらまし: 2個のMOS-FETをカスケードに接続し，一方のゲートに高周波電源を，他方のゲートにその周波数で共振するLCタンク回路を接続した，簡単な構成の回路の特性を，粗い近似を使って調べ，タンク回路の共振点付近で容量Cを変化させると，ドレイン電流が大きく変化する可能性のあることを導き，これを実験で確認した．2個のMOS-FETを1個のデュアルゲートMOS-FETに置き換え，回路の構成をより簡単化し，安定度のすぐれた，10-2pF程度の容量変化が容易に検出できる回路を作った．これらの回路では，周波数，タンク回路のインダクタンスの値に関連して共振容量の値が大きく異なると，容量変化時のドレイン電流の全変化幅に大きな差異が生じる．この差異をなくすのに“ゲート間にコンデンサを接続し，その容量値を共振容量値やコイルのQ値に応じて調節する方法”が有効であることを見出した．この方法を使うと，共振容量の値が大きく異なる場合でも容量変化とドレイン電流の関係は，容量変化量を共振容量値との比をとり規格化すれば，ほぼ一本の曲線で表すことができ，ドレイン電流の全変化幅の揃った，種々の感度，容量変化検出幅をもつ回路が容易に作れる． | |||||
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