トンネルFETのデバイスモデリング

福田 浩一  森 貴洋  森田 行則  水林 亘  昌原 明植  右田 真司  太田 裕之  

誌名
電子情報通信学会論文誌 C   Vol.J99-C   No.5   pp.173-181
公開日: 2016/04/06
Online ISSN: 1881-0217
DOI: 
論文種別: 招待論文 (エレクトロニクス分野におけるシミュレーション技術の進展論文特集)
専門分野: 
キーワード: 
トンネルFET,  デバイスシミュレーション,  バンド間トンネル,  コンパクトモデル,  非局所,  

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あらまし: 
CMOSの微細化限界などによる新原理トランジスタの候補として,トンネルFETの研究が行われている.筆者らは,成熟したシリコン技術を用いて,トンネルFETの試作・評価を行うのと並行し,デバイスシミュレーションを用いたモデリングを実施した.最初にバンド間トンネルのモデル化について,その仮定・精度を実測と比較しながら検討し,非局所電界に基づくモデルを採用した.デバイスの設計指針や,実測される電気特性の解釈には,そのモデルを用いたデバイスシミュレーションを使用した.応用の側面から回路シミュレーションが必要となり,素子動作のコンパクトモデル化を,デバイスモデリングの経緯に基づいて行い,そのモデルは回路応用上の課題の検討に用いられた.また,このように新デバイスの開発とモデリングを同時並行に進めることは,双方にとって大きなメリットがある.