InPマッハツェンダ光変調器における非線形な電気光学効果の光伝送への影響

山田 英一  乗松 誠司  

誌名
電子情報通信学会論文誌 C   Vol.J99-C   No.4   pp.97-106
公開日: 2016/03/11
Online ISSN: 1881-0217
DOI: 
論文種別: 論文
専門分野: レーザ・量子エレクトロニクス
キーワード: 
InP系半導体,  マッハツェンダ変調器,  電気光学効果,  非線形性,  光伝送,  

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あらまし: 
InPマッハツェンダ光変調器は小型で高変調効率という特性をもっている.しかし,InP系半導体の電気光学効果は,印加電圧に対して位相が非線形に変化し,また,印加電圧の増加に従って吸収が増加するという非線形性が存在する.そこで,InP系半導体の電気光学効果の非線形性の数値モデルをもとに計算機シミュレーションを用いて変調特性,伝送特性への影響を検討する.まず,駆動条件において,変調バイアス電圧の絶対値が小さいほど位相の非線形性が顕著であることを示す.次に,強度変調方式における変調特性を検討し,通常使用する条件において,非線形がない場合と比べて波形に差がなく,光信号対雑音比(Optical Signal to Noise Ratio: OSNR)特性にも差がないが,常に周波数チャープが生じることを示す.差動4値位相変調方式においてもOSNR特性に差がないこと,更には,長距離波長分割多重伝送の伝送特性にも差がないことを示す.