高密度RFテスタフロントエンド用75 dBステップアッテネータのSiP化の検討

君島 正幸  竹内 博昭  大西 将夫  古神 義則  

誌名
電子情報通信学会論文誌 C   Vol.J96-C   No.12   pp.541-545
公開日: 2013/11/13
Online ISSN: 1881-0217
DOI: 
Print ISSN: 1345-2827
論文種別: ショートノート
専門分野: 
キーワード: 
RFテスタ,  ステップアッテネータ,  SIP,  MMIC,  アイソレーション,  

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あらまし: 
RFテスタフロントエンドの高密度化に伴う75 dBステップアッテネータのSiP(systems in package)化について,構造と回路設計,試作結果を述べる.従来ハイブリッドIC(HIC:Hybrid IC)や個別部品で構成した広帯域,高減衰量ステップアッテネータを,LTCC基板と新たに開発した2種類のステップアッテネータMMICを用いてSiP化し,20 mm × 20 mm × 3 mm のサイズにて,10 MHz〜12 GHzの帯域で75 dBの総可変量と2 dB以下の減衰確度を達成した.