高温成膜したチタン酸バリウムストロンチウム薄膜を用いた可変容量の集積化プロセス

森脇 政仁  掘露 伊保龍  門田 道雄  江刺 正喜  田中 秀治  

誌名
電子情報通信学会論文誌 A   Vol.J96-A   No.6   pp.342-350
発行日: 2013/06/01
Online ISSN: 1881-0195
DOI: 
Print ISSN: 0913-5707
論文種別: 特集論文 (周波数発生・制御デバイスの新展開論文特集)
専門分野: 
キーワード: 
チタン酸バリウムストロンチウム(BST),  可変容量,  トランスファ法,  プラズマダメージ,  

本文: PDF(1.9MB)>>
論文を購入




あらまし: 
チタン酸バリウムストロンチウム(BST)を用いた可変容量を集積回路上に形成するために,別のSi基板に成膜したBSTをポリイミドを介して集積回路基板に接合し,Si基板をエッチングで除去することによってBST膜を集積回路基板にトランスファする集積化プロセスを開発した.誘電率可変特性に優れるBSTは高温で成膜しなくてはならないが,このトランスファ法によって耐熱性の低い基板上でもBST膜を利用できる.プロセスの途中でBST膜がSF6/Arプラズマにさらされると,BST膜表面に誘電率の低いBaとSrのフッ化物が形成され,BST膜の見かけ上の誘電率が低下することが分かった.この問題について実験的検証と考察を行い,BST膜の劣化を防ぐプロセスを構築し,ダミー回路基板上にBST可変容量を作製した.