良好な温度特性をもつ小形弾性表面波デュプレクサ

門田 道雄  中尾 武志  西山 健次  谷口 典生  冬爪 敏之  

誌名
電子情報通信学会論文誌 A   Vol.J96-A   No.6   pp.301-308
発行日: 2013/06/01
Online ISSN: 1881-0195
DOI: 
Print ISSN: 0913-5707
論文種別: 招待論文 (周波数発生・制御デバイスの新展開論文特集)
専門分野: 
キーワード: 
SAWデュプレクサ,  高密度電極,  平たん化SiO2,  小形,  良好なTCF,  

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あらまし: 
デュプレクサ用に適した電気機械結合係数と良好な温度特性を兼ね備えたSAW基板がないため,SiO2膜と圧電基板とを組み合わせて温度特性を改善することを試みた.しかし,SiO2膜/厚いAl電極/圧電基板では良好な周波数特性が得られない.Alの代わりに高密度電極を用い,SiO2膜上の凸部を除去した平たん化SiO2膜/高密度電極/圧電基板構造を開発し,携帯電話Band1,2,8用デュプレクサに適用し,従来SAW基板に比べ1/4~1/8の良好な周波数温度特性,従来に比べ-30~85℃の温度範囲で0.5 dB良好な挿入損温度特性の改善を実現した.