有限要素シミュレーションによる不均質半導体のvan der Pauw測定における異常値の発現と緩和に関する検討

松村 透  佐藤 祐一  

誌名
電子情報通信学会論文誌 C   Vol.J93-C    No.8    pp.256-263
公開日: 2010/08/01
Online ISSN: 1881-0217
DOI: 
Print ISSN: 1345-2827
論文種別: 論文
専門分野: 電子材料
キーワード: 
化合物半導体,  不均質,  van der Pauw法,  異常測定値,  有限要素法,  

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あらまし: 
化合物半導体は,結晶の成長条件によっては組成等のコントロールがうまくいかずに不均質な状態になることがある.このような結晶の電気的特性について,均質材料であることを前提としているvan der Pauw法により測定すると,異常な測定値が場合によっては得られてしまう可能性がある.本研究では,有限要素法によるシミュレーションにより,半導体内で不均質な領域が存在する場合に,その不均質領域の位置の移動に対する各測定値の変化について求め,どのような場合に異常な測定値が得られるか検討した.また,点電極による測定を原則としているvan der Pauw法において,その電極長を伸ばすことで異常測定値が得られにくくなる電極長について検討を行った.更に,抵抗率測定において不均質領域の位置を判断することを試みた.これらのことを総合的に適用することで,異常値をより得られにくくすることを検討した.