ウェーハレベルパッケージ技術による高周波インダクタの開発と回路応用

畠山　英樹  上道　雄介  天川　修平  石原　昇  益　一哉  

誌名
電子情報通信学会論文誌 C   Vol.J93-C   No.11   pp.477-484
公開日: 2010/11/01
Online ISSN: 1881-0217
DOI: 
Print ISSN: 1345-2827
論文種別: 特集論文 (先端電子デバイスパッケージと高密度実装における評価・解析技術論文特集)
専門分野: 
キーワード: 
ウェーハレベルパッケージ,  インダクタ,  CMOS,  電圧制御発振器,  低雑音増幅器,  

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あらまし: 
半導体パッケージング技術であるウェーハレベルパッケージ(Wafer-Level Packaging；WLP)を用いて，高いQ値を有するインダクタ（WLPインダクタ）を開発した．WLPで用いる厚膜Cu配線と厚膜絶縁樹脂を利用してインダクタを形成することで，配線抵抗や基板損失を低減し，従来のCMOSプロセスによるオンチップインダクタに比べ4倍以上のQ値を実現した．また，WLPインダクタのRF CMOS回路への応用として，WLPインダクタを用いた電圧制御発振器(Voltage Controlled Oscillator；VCO)，及び低雑音増幅器(Low Noise Amplifier；LNA)を試作，評価した．その結果，CMOSプロセスによるオンチップインダクタを用いた場合に比べ，VCOでは位相雑音が6.4 dB改善し，LNAでは雑音指数が0.9 dB，電圧利得が2.2 dB，それぞれ改善した．これらは回路におけるインダクタのQ値が改善したことによるものであり，WLPインダクタがRF CMOS回路の性能向上に有効であることを明らかにした．