鉛フリーめっき端子部のウィスカ要因と発生形態

作山 誠樹  朽網 道徳  

誌名
電子情報通信学会論文誌 C   Vol.J92-C    No.11    pp.606-612
公開日: 2009/11/01
Online ISSN: 1881-0217
DOI: 
Print ISSN: 1345-2827
論文種別: 特集論文 (次世代電子機器における先端実装技術と環境調和型実装技術論文特集)
専門分野: 
キーワード: 
鉛フリーめっき,  ウィスカ,  再結晶,  潜伏期間,  

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あらまし: 
鉛(Pb)フリースズ(Sn)めっきから発生するSnウィスカの成長要因を把握するため,常温放置におけるめっき内部応力の変化及び発生したSnウィスカの根元の組織観察を行った.その結果,ウィスカの成長とともにめっき内部応力が低下しており,ウィスカ発生部の組織は周囲の結晶粒に比べて粗大化していることから,Snウィスカは根元のSnの再結晶によって成長していることを明らかとした.更に,Snめっきからウィスカを発生するまでの時間は化合物の成長などめっき内部応力を蓄積する時間とSnの再結晶の潜伏期間と相関性があり,この時間が長いめっき皮膜ほど危険な針状ウィスカを発生しやすい傾向が得られた.