塩素ガスエッチングを用いた微細MOS Elevated Source/Drainプロセス―高選択,ダメージフリーのバッチ処理Siエッチング―

杉野 林志  Unsoon Kim  Kyunghoon Min  Ning Cheng  Huaqiang Wu  Chungho Lee  Fred Cheung  Hiroyuki Kinoshita  上西 雅彦  加藤 寿  多田 新吾  伊藤 隆司  

誌名
電子情報通信学会論文誌 C   Vol.J91-C   No.7   pp.363-369
公開日: 2008/07/01
Online ISSN: 1881-0217
DOI: 
Print ISSN: 1345-2827
論文種別: 論文
専門分野: 半導体材料・デバイス
キーワード: 
Elevated Source/Drain,  ポリシリコン,  ダメージフリーエッチング,  塩素ガス,  LPCVD,  

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あらまし: 
新しいコンセプトに基づくElevated Source/Drain構造のNMOSトランジスタ試作にあたり,Source/Drain形成のためのイオン注入用ハードマスクとして用いられるポリシリコンを効率良く除去できる塩素ガスエッチング技術を開発した.このエッチングの採用により,ポリシリコン下地の絶縁膜を全くエッチングしないという高い選択性と,純粋な化学反応を用いることによるダメージフリーという二つの要求を満たすことができた.また,この塩素ガスエッチング装置として市販のバッチ型LPCVD装置を転用したことにより,既存プロセスとの整合性と高い生産性を確立することができた.