MOSFETとpn接合ダイオードにより構成される新しいバラクタ回路を用いた広帯域電圧制御発振器

太田 宙志  吉増 敏彦  倉智 聡  伊藤 信之  米村 浩二  

誌名
電子情報通信学会論文誌 C   Vol.J91-C   No.12   pp.702-710
公開日: 2008/12/01
Online ISSN: 1881-0217
DOI: 
Print ISSN: 1345-2827
論文種別: 特集論文 (マイクロ波論文(大学発)特集)
専門分野: 能動回路
キーワード: 
バラクタ回路,  広帯域VCO,  SiGe,  MOSFET,  pn接合ダイオード,  

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あらまし: 
新しい高可変率バラクタ回路を提案し,4 GHz帯SiGe広帯域VCO IC (Voltage Controlled Oscillator)を実現したので報告する.この高可変率バラクタは,pn接合ダイオード,ドレーン・ソース間を短絡しないMOSバラクタから構成され,VCOのチューニングレンジを大幅に拡大する.また,バラクタ回路を複数個並列に接続し,各バラクタ素子のコントロール電圧端子に電圧レベルシフト回路を接続することで,コントロール電圧対発振周波数のリニアリティを改善した.更に,新しい提案のバラクタ回路を用いたVCO ICを0.35 μm SiGe BiCMOSプロセスを用いて設計,試作,評価した結果,中心周波数に対してチューニングレンジ48%を得た.これは,従来型の同じプロセスを用いたVCO ICと比較して約3倍のチューニングレンジの拡大であり,本提案のバラクタ回路がVCOチューニングレンジの広帯域化に有効であることを実証した.