高電子移動度トランジスタの高速性能極限の追求

末光 哲也  

誌名
電子情報通信学会論文誌 C   Vol.J90-C   No.4   pp.312-318
公開日: 2007/04/01
Online ISSN: 1881-0217
DOI: 
Print ISSN: 1345-2827
論文種別: 解説論文
専門分野: 
キーワード: 
HEMT,  InP,  高周波特性,  遅延時間,  

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あらまし: 
InP系材料を中心とした,高電子移動度トランジスタ(HEMT)の高周波特性の基礎,測定,及び解析について解説する.高周波特性を支配するトランジスタの遅延時間は,ゲート下におけるキャリヤの走行に起因する真性遅延と,ゲート外における寄生抵抗,寄生容量等がもたらす充電時間等による寄生遅延に大別できる.ゲート長が大きい場合は真性遅延が素子の遅延時間の主要部分であったのだが,それが100 nmを下回るまで微細化が進んだ現在では,むしろ寄生遅延が真性遅延を上回る現象が生じている.それを示すInP系HEMTにおける実際の解析例を紹介し,それぞれの遅延時間の傾向と今後の性能向上に向けた展望について解説する.