超高速化合物半導体電子デバイスの可能性

榎木 孝知  

誌名
電子情報通信学会論文誌 C   Vol.J89-C   No.3   pp.79-86
公開日: 2006/03/01
Online ISSN: 1881-0217
DOI: 
Print ISSN: 1345-2827
論文種別: 招待論文
専門分野: 
キーワード: 
化合物半導体,  トランジスタ,  HEMT,  HBT,  

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あらまし: 
本論文では,化合物半導体デバイスの特徴を,高出力特性,低雑音特性,高周波高利得特性,高速スイッチング特性の観点から,各々の高性能化について可能性と課題について議論した.高出力性については,AlGaN/GaN HEMTの高電圧動作と潜在的に優れた電子輸送特性から,飛躍的な高出力化の期待が大きい.一方,低雑音化,高周波化については,InP系HEMTの材料技術やゲート微細化技術によりサブミリ波帯までの低雑音化が期待できる.高速・高機能なアナログ・ディジタル混載型の高機能化については,自己整合化技術を用いて1/4 μmまで微細化されたInP HBTの実現により,超100 GHzの動作が期待できる.