バイアス雑音を低減したCMOS電圧制御発振器

中村 光男  山岸 明洋  原田 充  

誌名
電子情報通信学会論文誌 C   Vol.J89-C   No.10   pp.663-665
公開日: 2006/10/01
Online ISSN: 1881-0217
DOI: 
Print ISSN: 1345-2827
論文種別: ショートノート
専門分野: 
キーワード: 
電圧制御発振器,  消費電力,  位相雑音,  

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あらまし: 
小型無線端末への応用を目的として,バイアス回路から伝搬する雑音をMOS伝達ゲートを用いたフィルタで遮断する機構を特徴とする電圧制御発振器を,0.2 μ m完全空乏形SOI-CMOSプロセスで試作した.電源電圧2 V,消費電流(回路全体)2 mA,発振周波数960 MHz,オフセット周波数600 kHzのとき,MOS伝達ゲートがオフ状態における位相雑音は-112 dBc/Hzであり,オン状態に比べて約6 dB位相雑音を抑制している.