GaN系ショットキー接合のリーク電流

橋詰 保  

誌名
電子情報通信学会論文誌 C   Vol.J88-C   No.8   pp.621-629
公開日: 2005/08/01
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Print ISSN: 1345-2827
論文種別: 解説論文
専門分野: 
キーワード: 
GaN,  ショットキー接合,  リーク電流,  トンネル電流,  表面欠陥,  

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あらまし: 
GaN及びAlGaNに形成されたショットキー接合の漏れ電流の振舞いを整理し,その機構を議論した.まず,これまでに提案されている電流輸送機構の代表的モデルを概説し,それぞれのモデルの特徴と問題点を整理した.次に,順・逆方向の電流-電圧特性を広い温度範囲で定量的に説明可能な,表面欠陥ドナーを導入したトンネル電流モデルによる解析結果を述べ,プロセス中にGaN表面に導入された表面欠陥ドナーのイオン化がトンネル漏れ電流成分を著しく増大させている可能性を示した.最後に,転位と漏れ電流の関連性,及びAlGaNショットキー接合に見られる極端に大きな漏れ電流の振舞いについて議論した.