ナイトライド系結晶成長技術とヘテロ接合バイポーラトランジスタへの応用

牧本 俊樹  熊倉 一英  

誌名
電子情報通信学会論文誌 C   Vol.J88-C   No.7   pp.467-473
公開日: 2005/07/01
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Print ISSN: 1345-2827
論文種別: 招待論文
専門分野: 
キーワード: 
窒化物半導体,  ヘテロ接合バイポーラトランジスタ,  外部ベース再成長,  パワーエレクトロニクス,  p型InGaN,  

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あらまし: 
窒化物半導体ヘテロ接合バイポーラトランジスタ (HBT)は,高出力電子デバイスとして期待されているが,今までに報告されたNpn型窒化物半導体HBTには二つの大きな問題点があった.一つは電流利得が低い点であり,もう一つはエミッタ接地電流-電圧(I-V)特性におけるオフセット電圧が高い点である.我々は,従来のp型GaNに比べて抵抗が低いp型InGaNをHBTのベース層に用いるとともに,外部ベース層の結晶再成長を行うことにより,これらの二つの問題点を克服した.そして,窒化物半導体HBTの特徴である高出力動作を実証したので報告する.