n-i-n構造マッハツェンダ光変調器の開発

都築 健  石橋 忠夫  八坂 洋  東盛 裕一  

誌名
電子情報通信学会論文誌 C   Vol.J88-C   No.2   pp.83-90
公開日: 2005/02/01
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Print ISSN: 1345-2827
論文種別: 招待論文
専門分野: 
キーワード: 
マッハツェンダ変調器,  位相変調器,  進行波電極,  InP,  n-i-n構造,  

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あらまし: 
半導体層に新規に考案した「n-i-n構造」を導入することで,小型で高速,低電圧駆動が可能な光位相変調器を実現した.この位相変調器を利用した電極長3 mmのマッハツェンダ変調器を作製し1.0 Vプッシュプル駆動,10 Gbit/s 長距離伝送を実現したのでその特性について述べる.更に超高速動作に対応するための方策と,本変調器で実現された低駆動電圧 (Vpp=2.3 V)の40 Gbit/s光変調特性について報告する.