5.8 GHz帯低電圧駆動SiGe-HBT電力増幅器の基礎検討

板垣　芳夫  小野　直子  千住　智博  山口　恵一  

誌名
電子情報通信学会論文誌 A   Vol.J88-A    No.2    pp.297-303
発行日: 2005/02/01
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Print ISSN: 0913-5707
論文種別: 特集論文 (ITS技術論文特集)
専門分野: ITSエレクトロニクス技術
キーワード: 
ITS,  DSRC,  SiGe-HBT,  電力増幅器,  フィルタ特性,  

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あらまし: 
5.8 GHz帯電力増幅器（PA）に，Si系デバイスを用い，更に低電圧駆動化を実現した．従来5.8 GHz帯を利用するDSRCシステム用PAには，GaAs系デバイスを用いていたが，高コストであることから，Si系デバイスへの置換えが進んでいる．しかし，Si系デバイスは，耐圧がGaAs系デバイスより低く，また将来的に電池駆動の可能性及び他ロジックICと電源共通化を想定した場合，低電圧駆動化が必要となる．このとき，PAが線形増幅できる出力電力は低下し，ひずみが生じやすくなる．本論文では，低電圧駆動PAの出力信号ひずみ低減のために，波形成形フィルタとPAの協調設計を行った．ディジタル信号の波形成形フィルタにガウスフィルタを用い，PAの入出力インピーダンスと波形整形フィルタのBT積を最適化することで，低電圧駆動SiGe-HBT PAの開発に成功した．試作したPAは，Vcc が1.8 V，12 dBm出力時，隣接チャネル漏えい電力 -33.3 dBc，変調指数0.84と良好な値を得た．