N2Oガス気相熱励起法によるシリコン酸窒化膜の形成

遠田 義晴  武田 創太郎  

誌名
電子情報通信学会論文誌 C   Vol.J87-C    No.7    pp.590-591
公開日: 2004/07/01
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Print ISSN: 1345-2827
論文種別: レター
専門分野: 
キーワード: 
シリコン酸窒化膜,  ゲート絶縁膜,  N2O,  気相励起,  

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あらまし: 
酸窒化剤として比較的安全なガスであるN2Oを用いて,気相熱励起法によるシリコン酸窒化薄膜を形成した.オージェ電子分光法による酸窒化反応速度の測定によって熱励起温度と基板温度の関係を調べ,反応中のガス質量分析の測定と合わせ,N2O気相熱励起法の効果について明らかにした.