微細MOSFETのリーク電流を考慮したシステムLSIの高速低消費電力設計法の検討

渡辺 重佳  

誌名
電子情報通信学会論文誌 C   Vol.J86-C   No.9   pp.1034-1037
公開日: 2003/09/01
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Print ISSN: 1345-2827
論文種別: ショートノート
専門分野: 
キーワード: 
システムLSI,  並列処理,  動作時の消費電力,  MOSFET,  リーク電流,  

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あらまし: 
微細MOSFETのリーク電流に注目した場合,同一動作速度のシステムLSIの動作時の消費電力は,電源電圧・しきい値電圧最適設定方式と比較して並列処理方式の方が大幅に削減できることを組込み型プロセッサをモチーフにして示した(ゲート長50 nmの微細MOSFETを用い,1~3 GHzで動作させることを想定した場合に,2並列で約1/2,3並列で約1/5に削減可能).高速低消費電力特性を得るためにはチップ面積等の制約がない限りは並列処理方式の導入が有効.