VUV-CVDで生成したシリカ膜の電気特性

本山 理一  黒澤 宏  横谷 篤至  

誌名
電子情報通信学会論文誌 C   Vol.J86-C   No.8   pp.913-919
公開日: 2003/08/01
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Print ISSN: 1345-2827
論文種別: 論文
専門分野: レーザ・量子エレクトロニクス
キーワード: 
VUV-CVD,  Xe2エキシマランプ,  環状Si-O骨格,  リーク電流,  比誘電率,  

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あらまし: 
次世代の半導体製造用CVDとして,真空紫外光気相成長法(VUV-CVD:Vacuum-Ultraviolet Chemical Vapor Deposition)の研究・開発が各国で進められている.膜の原料を紫外線の短波長である真空紫外光によって,光量子的に分解するため,室温で生成が可能である.VUV-CVDは,原理的に光子エネルギー以上の運動エネルギーをもった荷電粒子及び中性粒子が存在せず,半導体製造プロセスの高熱や不純物打込み及び電気的チャージ等のプロセスダメージを嫌う工程において,ダメージフリーのCVD装置として有望である.筆者らは,Xe2エキシマランプを搭載したVUV-CVDを用い,層間絶縁膜生成に多用されるTEOS:[Si(OC2H5)4] と環状のSi-O骨格を有するOMCTS:[((CH3)2SiO)4] を用いて,シリカ膜を生成した.これらの膜について,電気特性であるリーク電流特性及び比誘電率を評価した結果,後者の環状のSi-O骨格を有するOMCTSが,VUV-CVDのシリカ膜原料として有効であることがわかった.本論文は,VUV-CVDで生成した,これらシリカ膜の電気特性について報告する.