隠れ層をもつ多方向連想メモリ

小林 正樹  服部 元信  山崎 晴明  

誌名
電子情報通信学会論文誌 D   Vol.J84-D2   No.7   pp.1495-1502
発行日: 2001/07/01
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DOI: 
Print ISSN: 0915-1923
論文種別: 論文
専門分野: バイオサイバネティックス,ニューロコンピューティング
キーワード: 
多方向連想メモリ,  隠れ層,  共通項,  

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あらまし: 
多方向連想メモリ(Multidirectional Associative Memory:MAM)は双方向連想メモリ(Bidirectional Associative Memories:BAM)の一般形であり,複数の事象に関する想起を可能とする連想メモリのモデルである.これは,BAMと同様に学習組に共通項が含まれる場合に重畳変形パターンが出現し,正しい想起が行えないという欠点がある.改良型多方向性連想メモリ(Improved Multidirectional Associative Memory:IMAM)により,この欠点は解決されるが,モデルが複雑であり,相関学習を利用するため,記憶容量が小さいという欠点をもつ.本論文では,MAMに隠れ層を追加したモデル及びその学習法を提案し,MAMの単純な構造を保持したまま,共通項を含む学習組に対する想起を可能にする.計算機シミュレーションにより,本モデルの記憶容量が相関学習より大きく,雑音に強いなどの有効性を示す.