MBE法による炭酸系化合物(BaxSr1-x)2Cu1+yO2+δ(CO3)1-y薄膜の作製

安達 裕  鶴田 忠正  松井 良夫  坂口 勲  羽田 肇  高橋 紘一郎  

誌名
電子情報通信学会論文誌 C   Vol.J84-C   No.3   pp.207-212
公開日: 2001/03/01
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Print ISSN: 1345-2827
論文種別: 論文
専門分野: 超伝導エレクトロニクス
キーワード: 
(BaxSr1-x)2Cu1+yO2+δ(CO3)1-y,  炭酸系超伝導体,  MBE,  電気抵抗特性,  

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あらまし: 
本研究では,MBE法を用いて炭酸系超伝導体(BaxSr1-x)2Cu1+yO2+δ(CO3)1-yの合成を試みた.真空チャンバ内にCO2ガス及び酸化源としてNO2ガスをそれぞれ導入することによりSrTiO3(001)基板上に(BaxSr1-x)2Cu1+yO2+δ(CO3)1-y(x≧0.3)を成長させることができた.SrTiO3(001)基板上に成長した薄膜はc軸が基板表面に垂直で,面内の方位関係は基板[110]方向に沿って薄膜[100]がエピタキシャル成長していた.NdGaO3及び(LaAlO3)0.3(SrAl0.5Ta0.5O3)0.7基板上にも同様な条件で成膜したが,エピタキシャル薄膜は得られなかった.いずれの薄膜も電気抵抗特性は半導体的であり,超伝導特性は示さなかった.