Pb(Zr,Ti)O3薄膜成長における気相及びターゲットからの酸素導入の検討

金 済徳  佐々木 公洋  畑 朋延  

誌名
電子情報通信学会論文誌 C   Vol.J83-C    No.11    pp.1036-1042
公開日: 2000/11/25
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Print ISSN: 1345-2827
論文種別: 論文
専門分野: 半導体材料・デバイス
キーワード: 
準金属モード,  酸素供給源,  反応性スパッタリング,  強誘電体,  Pb(Zr,Ti)O3,  

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あらまし: 
金属(ZrTi)-酸化物(PbO)複合ターゲットを用い,反応性スパッタ法で強誘電体Pb(Zr,Ti)O3[PZT]薄膜の高速かつ低温作製を行っている.金属ターゲットと酸化物ターゲット間での相互干渉が生じ,作製される膜に影響を及ぼしている.酸化物ターゲットの面積比を大きくすると,金属と酸化物が同時にスパッタされるスパッタモード(準金属モードと称する)が現れる.準金属モードでのPZT薄膜の堆積機構について調べた結果,酸素の供給源は導入ガスではなくPbOからであることを突き止めた.更に成長PZT膜表面に十分な酸素が供給されないとPbの再蒸発が生じ,Pbが欠乏する.