固相結晶成長法により作製されたlateral Power MOS FET の温度特性 のデバイスパラメータ依存性

樹神 雅人  杉山 隆英  上杉 勉  

誌名
電子情報通信学会論文誌 C   Vol.J82-C2   No.6   pp.308-313
発行日: 1999/06/25
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Print ISSN: 0915-1907
論文種別: 論文
専門分野: 半導体材料・デバイス
キーワード: 
SOI,  SPE,  temperature,  lateral Power MOS FET,  

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あらまし: 
Solid Phase Epitaxy 法を用いて作製した,チャネル下部に埋込みゲートを有し,トレンチゲート/ドレーンを有する横型 Power MOS FET について,温度特性のデバイスパラメータ依存性を評価した.デバイスパラメータはゲート長と n‐ ドリフト長に注目した.しきい値の温度変化率はゲート長に依存し,ゲート長が長くなるに従い増加する傾向にある.しかし,n‐ ドリフト長には依存していない.また規格化オン抵抗の温度変化率はn‐ ドリフト長に依存し,n‐ ドリフト長が長くなるに従い増加する傾向にある.しかし,ゲート長には依存していなかった.このことから,デバイスサイズが小さくなればデバイス特性の温度変動は少なくなる方向にあるといえる.