ECRプラズマCVDによるSi薄膜の選択エピタキシャル成長

高田 俊明  佐々木 公洋  

誌名
電子情報通信学会論文誌 C   Vol.J82-C2       pp.197-202
発行日: 1999/04/25
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Print ISSN: 0915-1907
論文種別: 専門分野: 半導体材料・デバイス
キーワード: 
選択成長,  低温エピタキシャル成長,  エッチング,  ECRプラズマCVD,  Si,  

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あらまし: 
ECRプラズマCVD法を用いて,Si膜の選択エピタキシャル成長を行った. この方法で成膜を行う際には,膜の堆積だけではなく, 水素ラジカルによるエッチング作用も同時に発生している. このエッチング速度が膜の結晶性によって変化することを利用して, 選択成長を行った.その結果,Si基板には結晶Siが, SiO2 基板には非晶質Siが成長する条件を満たし, かつ成膜時に起こるエッチング作用を強くすると, 選択成長が実現できることがわかった. また,SiO2 のLine and Spaceパターンをもつ基板に選択成長を行い SEMで観測したところ,良好な選択成長膜が得られた.