解析にエリアモデルを用いたSpindt型 Mo FEAの電子放出特性

羅 永春  磯田 淳平  柴田 幹  岡田 裕之  女川 博義  

誌名
電子情報通信学会論文誌 C   Vol.J82-C2   No.10   pp.563-570
発行日: 1999/10/25
Online ISSN: 
DOI: 
Print ISSN: 0915-1907
論文種別: 論文
専門分野: 半導体材料・デバイス
キーワード: 
フィールドエミッタアレー,  電界放出,  エリアモデル,  チップ半径,  シミュレーション,  

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あらまし: 
作製したSpindt型Mo FEAデバイスの電子放出特性と計算した結果との比較を行った.ここで,我々はデバイス構造に基づいたモデルの解析に用いるチップのエリアモデルを提案し,更に計算精度を高める広義的な因子 ψ を定義することにより妥当な計算結果を得た.また実験データに基づくファウラー-ノルドハイム式による各種特性のシミュレーションを行った.モデルに従って計算した結果は,素子のSEM観察に基づく実験結果とよい一致が見られ,これに基づきより微細な尖鋭度を有するデバイスのチップ径が推定できた.