MBE法によりKBr基板上に作製されたバナジルフタロシアニン 単結晶とそのSHGとTHG

前田 昭徳  奥村 典弘  古橋 秀夫  吉川 俊夫  内田 悦行  小嶋 憲三  大橋 朝夫  落合 鎮康  家田 正之  水谷 照吉  

誌名
電子情報通信学会論文誌 C   Vol.J82-C1   No.4   pp.195-204
発行日: 1999/04/25
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Print ISSN: 0915-1893
論文種別: 論文
専門分野: レーザ・量子エレクトロニクス
キーワード: 
MBE,  エピタキシ,  VOPc単結晶,  2次非線形光学強度,  3次非線形光学強度,  

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あらまし: 
分子線エピタキシ(MBE)装置により 2次,3次非線形光学定数の大きいバナジルフタロシアニン(VOPc)単結晶をKBr基板上に作製し, その結晶評価及び単結晶の大形化とその非線形光学性を検討した. RHEED,SEM,UV/VISスペクトルによりVOPc単結晶の結晶構造の評価,メーカフリンジ法により非線形光学性が検討された. KBr基板上に作製されたVOPc薄膜が所定の基板温度条件でエピタキシャル成長していることを示した.KBr基板上に作製されたVOPc単結晶のサイズについては,5×5×0.1(μ m )3 の単結晶作製に成功している. Nd・YAGレーザを用いたメーカフリンジ法により, P偏光入射ビームを用いたVOPc単結晶の2次非線形光学強度を測定し, Yカット水晶板の約20倍程度の非線形光学強度を観測した.P偏光入射ビームを用いたバナジルフタロシアニン単結晶の3次の非線形光学定数 χ(3) については, Fangらの測定した値に比し約3倍になることを示した.