大振幅RF注入によるMOSFETのDC特性変動の検討

服部 佳晋  只野 博  長瀬 宏  

誌名
電子情報通信学会論文誌 B   Vol.J82-B   No.12   pp.2375-2383
発行日: 1999/12/25
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Print ISSN: 1344-4697
論文種別: 論文
専門分野: 電磁環境
キーワード: 
RF (Radio Frequency),  注入,  大信号,  MOSFET,  DC電圧,  

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あらまし: 
車載IC (Integrated Circuit) のRF (Radio Frequency) ノイズによる誤動作は,車載電子システムの高信頼化のために解決すべき問題である.今回,MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor) を対象とし,100 MHz~2 GHzで大振幅のRF信号をゲートまたはドレインから注入した場合のVD-ID特性の変動を測定した.その結果,ゲートからRFを注入した場合, (1)飽和領域でドレイン電流が増加, (2)線形領域でドレイン電流が変化, (3)VD =0 V付近において負のドレイン電流が発生する変動を生じた.これらの要因について検討し, (1),(2)は,ゲート電圧に対するドレイン電流の非線形性により発生していること, (3)は,注入したRFがゲート酸化膜容量と基板の寄生抵抗により分圧され,基板-ドレイン間に形成される寄生ダイオードの順方向電流が流れるために発生していることを明らかにした.またドレインからRFを注入した場合もVD = 0 V付近において大きな負のドレイン電流が発生した.これも基板-ドレイン間の寄生ダイオードの順方向電流が流れるため発生していることを示した.