強誘電体メモリの読出し応答解析

西村 清  淵上 貴昭  干場 一博  

誌名
電子情報通信学会論文誌 C   Vol.J81-C2   No.6   pp.534-541
発行日: 1998/06/25
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Print ISSN: 0915-1907
論文種別: 論文
専門分野: 半導体材料・デバイス
キーワード: 
強誘電体,  過渡特性,  不揮発性RAM,  シミュレーション,  モデル,  

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あらまし: 
強誘電体の過渡応答特性は履歴特性,ならびに動的容量特性により特異な振舞いを示すことが知られている.筆者らは強誘電体のヒステリシス特性モデルから導かれる動的容量を動的時定数として介在させることにより,強誘電体の過渡応答をシミュレートするモデルを提案した,本論文では,提案の過渡応答モデルを使って誘電体メモリの記録読出し応答特性について検討した.負荷条件により,大きく読出し速度が変化し,検出感度との関連で最適点が存在することがわかった.また,読出しが高速でありながら,省電力が図れる強誘電体メモリのアルゴリズムの存在を示した.