GaN系面発光レーザの設計と製作技術に関する基礎検討

本田 徹  白澤 智恵  持田 宣晃  井上 彰  松谷 晃宏  坂口 孝浩  小山 二三夫  川西 英雄  伊賀 健一  

誌名
電子情報通信学会論文誌 C   Vol.J81-C2    No.1    pp.97-104
発行日: 1998/01/25
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Print ISSN: 0915-1907
論文種別: 特集論文 (ワイドギャップ半導体とそのデバイス応用論文小特集)
専門分野: 族窒化物半導体
キーワード: 
GaN,  面発光レーザ,  高反射率反射鏡,  RIBE,  電流狭窄,  BAlGaN,  有機金属気相成長,  

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あらまし: 
GaN系面発光レーザのしきい値電流密度をバンド内緩和時間を考慮した密度行列法に従い,見積もった.この結果,共振器損失の大きい面発光レーザにおいては,活性層に量子井戸構造を用いると共に,高反射率反射鏡の導入が低しきい値動作には特に有効であることを示した.また,GaN系面発光レーザのための極微細加工技術,基板の検討についても述べる.