ワイドギャップパワー半導体素子の性能と適用インパクトSiCを中心にして

菅原 良孝  

誌名
電子情報通信学会論文誌 C   Vol.J81-C2    No.1    pp.8-16
発行日: 1998/01/25
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Print ISSN: 0915-1907
論文種別: 特集招待論文 (ワイドギャップ半導体とそのデバイス応用論文小特集)
専門分野: ワイドギャップ半導体応用システム
キーワード: 
SiC,  パワー半導体素子,  ダイオード,  MOSFET,  SIT,  サイリスタ,  素子性能指数,  電力変換装置,  

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あらまし: 
ワイドギャップ半導体は総じてSiに比べて秀でた物性値をもつことから,Siの物性限界を超える画期的な性能のパワー半導体素子が期待できる.本論文では中でも進展の著しいSiCに注目して,その物性的特長や予測されるデバイス性能をSiと比較して述べ,更に,SiCパワー半導体素子を電力変換装置に適用した場合のインパクトについて電力損や装置体積の低減効果試算例を中心に具体的に述べる.また,SiCパワー半導体素子の開発進展状況を紹介し,デバイス開発上の技術課題について述べる.