高抵抗埋込み技術による高機能半導体レーザ

東盛 裕一  馬渡 宏泰  竹内 博昭  須崎 泰正  伊賀 龍三  

誌名
電子情報通信学会論文誌 C   Vol.J81-C1   No.6   pp.303-310
発行日: 1998/06/25
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Print ISSN: 0915-1893
論文種別: 招待論文
専門分野: 
キーワード: 
高抵抗埋込み,  電界吸収型変調器,  変調器集積型DFBレーザ,  光トランシーバダイオード,  

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あらまし: 
光通信システムの応用分野の拡大により,それを支える光デバイスの開発動向も多岐にわたってきた.従って,基幹回路の高速,大容量化を支えるデバイスの高性能化のみならず,各家庭まで光ファイバが引かれることによって,安価な光通信システムを提供するためのデバイスの低コスト化,耐環境性の向上なども要求されるようになってきた.ここでは,このような光デバイスの実現に対して共通した重要技術である埋込み技術について,特にこれからの高機能・多機能半導体レーザを支える高抵抗埋込み技術を取り上げ,その得失,信頼性の検討,ならびに基幹系,アクセス系へのデバイス応用について述べる.