SPE法によるSOI層中の不純物拡散

樹神 雅人  上杉 勉  船橋 博文  光嶋 康一  多賀 康訓  

誌名
電子情報通信学会論文誌 C   Vol.J80-C2   No.5   pp.181-183
発行日: 1997/05/25
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Print ISSN: 0915-1907
論文種別: レター
専門分野: 
キーワード: 
SOI,  SPE,  LPCVD,  拡散,  

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あらまし: 
通常Si LSIプロセスで使用される減圧CVD装置を用いて作製したSPE膜中の不純物拡散について評価した.イオン注入により,As,BF2,P,Bを導入し,これを熱拡散させ,不純物分布を測定した.SOI層の不純物分布は種類によらず,いずれもSi基板中の分布と同じであり増速拡散などは見られなかった.これから,本方法によるSOI層の不純物拡散速度はSi基板と同じであることがわかった.