SPE法によるSOI層の熱酸化膜の評価

樹神 雅人  船橋 博文  光嶋 康一  多賀 康訓  

誌名
電子情報通信学会論文誌 C   Vol.J80-C2   No.5   pp.151-156
発行日: 1997/05/25
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Print ISSN: 0915-1907
論文種別: 論文
専門分野: 半導体材料・デバイス
キーワード: 
SOI,  SPE,  LPCVD,  OXIDE,  

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あらまし: 
我々は,通常Si LSIプロセスで使用される減圧CVD装置を使用したSPE法について検討を行っている.本方法を用いて作製したSOI層をMOSデバイスに応用する場合,ゲート酸化膜となるSOI層の酸化膜について評価をしておく必要がある.そこで我々は,SOI層の酸化速度,酸化膜の電気的特性について評価をした.電気的特性は,電界-電流密度特性,絶縁耐圧分布,TDDB特性について測定した.SOI層の酸化速度はSi基板と同じであった.また,SOI層の酸化膜の電気的特性はSi基板上の酸化膜とほぼ同等の特性であった.このことから,SOI層の酸化膜はSi基板の酸化膜と同様に扱ってよいことがわかった.