1.3μmおよび1.5μm-InGaAsPレーザダイオードの再結合係数の測定

日高 渉  須崎 渉  

誌名
電子情報通信学会論文誌 C   Vol.J80-C1   No.7   pp.313-318
発行日: 1997/07/25
Online ISSN: 
DOI: 
Print ISSN: 0915-1893
論文種別: 論文
専門分野: レーザ・量子エレクトロニクス
キーワード: 
レーザダイオード,  発光再結合係数,  オージェ再結合係数,  発振遅れ時間,  リーク電流,  

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あらまし: 
室温でリーク電流が無視できるp型基板を用いたInGaAsPレーザダイオードの発光再結合係数とオージェ再結合係数を,レーザダイオードへの印加パルス電流に対するレーザ発振の遅れ時間から検討した.発振遅れ時間の実験値と,印加パルス電流の形状を考慮したレート方程式を数値的に解くことにより得られた計算値とを一致させた.実験に使用した1.3μm-PBCおよび1.5μm-PPIBH-InGaAsPレーザダイオードのしきいキャリヤ密度ntは,(2.8-3)×1018/cm3である.これらのレーザダイオードの発光再結合係数Bおよびオージェ再結合係数Aの値は,それぞれ(1-1.5)×10-10cm3/s,<0.05×10-28cm6/sとなり,オージェ再結合Ant3は発光再結合Bnt2に比べて無視できるほど小さいことがわかった.