トップゲートTFTによる省プロセス高開口率ライトバルブ

鵜飼 育弘  湯川 禎三  中川 卓宣  中村 英樹  

誌名
電子情報通信学会論文誌 C   Vol.J80-C1   No.3   pp.130-131
発行日: 1997/03/25
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Print ISSN: 0915-1893
論文種別: レター論文
専門分野: 
キーワード: 
TFT,  ライトバルブ,  高開口率,  省プロセス,  

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あらまし: 
低誘電率の感光性層間絶縁膜を用いた電界遮へい電極(FSP)構造を採用し,TFTの電極間のスペース上に及ぶ透明電極を作製することにより,高開口率のa-SiトップゲートTFTライトバルブを開発した.ボトムゲートTFTとの特性比較,およびトップゲートTFTの省プロセス化技術について報告する.