プラズマCVD法によりシリコン酸化膜とシリコン酸素窒化膜の生成

柴田 登  

誌名
電子情報通信学会論文誌 C   Vol.J79-C2    No.12    pp.747-748
発行日: 1996/12/25
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Print ISSN: 0915-1907
論文種別: レター
専門分野: 
キーワード: 
プラズマCVD法,  酸素元素,  シリコン酸化膜,  シリコン酸素窒化膜,  電子親和力,  

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あらまし: 
プラズマCVD法によりSiOxNy膜を生成した.5%SiH4(95%N2バランス)ガスに酸素ガスを加えた混合ガスにより膜生成したが,酸素元素と窒素元素の電子親和力の違いが生成機構に関係していると考えられる実験結果が得られた.