SiH4を用いた清浄表面形成法によるSPE技術とSOI層の評価

樹神 雅人  船橋 博文  光嶋 康一  多賀 康訓  

誌名
電子情報通信学会論文誌 C   Vol.J79-C2   No.10   pp.507-513
発行日: 1996/10/25
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Print ISSN: 0915-1907
論文種別: 論文
専門分野: 半導体材料・デバイス
キーワード: 
SOI,  MOSFET,  LPCVD,  SPE,  

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あらまし: 
通常SiLSIプロセスで使用される,ロードロック室を有しない低真空の減圧CVD装置を使用してSPEを行う方法を新たに考案した.これはシード形成後のSi基板をSiH4ガス雰囲気中で昇温する方法であり,本方法により4μmのL-SPE距離を得た.SPEができる理由は,HF dipによって清浄となったシード表面が,SiH4ガスにより維持されているためと考えられる.次に,本方法で形成したSOI層の品質を評価するためMOSFETとPNダイオードを試作した.MOSFETは正常なトランジスタ動作をし,その品質はMOSFETの作製には問題のないレベルであることを確認した.しかし,PNダイオードの順方向特性のn値は1.156でありSi基板(1.050)と比較して再結合中心が多いことがわかった.