Cu拡散防止用アモルファスTi-Si-N薄膜の検討

飯島 匡
下岡 義明
須黒 恭一

誌名
電子情報通信学会論文誌 C   Vol.J78-C2    No.5    pp.266-272
発行日: 1995/05/25
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Print ISSN: 0915-1907
論文種別: 特集論文 (集積化配線技術論文特集)
専門分野: コンタクト・サリサイド技術
キーワード: 
Ti-Si-N,  非晶質,  アモルファス,  バリヤ,  メタル,  拡散,  Cu,  配線,  

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あらまし: 
結晶粒界のないアモルファスTi-Si-N拡散バリヤ膜について検討した.Ti-Si-Nは,TiSi,TiSi2ターゲットを用い,Ar/N2中で,反応性スパッタリング法により作製した.組成がTi:Si:N=1:1:1.4の膜特性を調べた.熱的にも安定な非晶質であることを確認した.ストレスは低く,圧縮応力で,0.28GPa.バリヤ性は,ジャンクションリーク測定により,600℃でも保たれることを確認した.従って,アモルファスTi-Si-N膜は,Cu配線の拡散防止層として有効な膜である.