WF6/Si2H6によるWSixブランケットCVDのモデリングとシミュレーション

江頭 靖幸  会田 弘文  齊藤 丈靖  霜垣 幸浩  小宮山 宏  菅原 活郎  

誌名
電子情報通信学会論文誌 C   Vol.J78-C2   No.5   pp.213-220
発行日: 1995/05/25
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DOI: 
Print ISSN: 0915-1907
論文種別: 特集論文 (集積化配線技術論文特集)
専門分野: 層間絶縁膜
キーワード: 
CVD,  タングステンシリサイド,  Si2H6,  WF6,  反応機構,  シミュレーション,  

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あらまし: 
WF6/Si2H6によるWSixブランケットCVDに対し,円管形反応器のデータを基に反応機構のモデリングを行った.この反応系はラジカル連鎖反応により成膜が開始されること,膜中のシリコン分率を容易に大きくできることに特徴がある.ラジカル連鎖反応でWF6とSi2H6が反応しSi/W=2のシリコンに富んだ中間体ができ,これが更に気相でSi2H6と反応するためにシリコンが増加するとモデル化した.その反応の速度定数をフィッティングパラメータとして円管内の膜中シリコン分率の分布をシミュレーションにより再現することができ,モデルの妥当性が示された.この反応の活性化エネルギーは23.5kJ/molであった.この反応モデルを基に基板加熱形反応器での膜中シリコン濃度を予測することが可能となった.