TFT-LCDの高精度シミュレーション技術

太田 益幸  津村 誠  大和田 淳一  大井田 淳  

誌名
電子情報通信学会論文誌 C   Vol.J77-C2   No.7   pp.293-300
発行日: 1994/07/25
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Print ISSN: 0915-1907
論文種別: 論文
専門分野: 電子ディスプレイ
キーワード: 
薄膜トランジスタ,  液晶ディスプレイ,  シミュレーション,  フィードスルー電圧,  真性容量,  TFT,  LCD,  

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あらまし: 
アモルファスシリコン薄膜トランジスタ(a-SiTFT)を用いたアクティブマトリクス形液晶ディスプレイ(TFT-LCD)において,TFT-LCDの画質を劣化させる主原因であるTFTのゲート電圧立下げ時に起こるソース電圧の変動(フィードスルー電圧)を精度良く解析し,TFT-LCDの画質を正確に予測できる高精度のTFT-LCDシミュレーション技術を確立した.特徴は次の2点である.(1)フィードスルー電圧のドレーン電圧依存性を引き起こす真性容量を考慮したa-SiTFTモデルを構築した.(2)TFT-LCDの各画素の位置によるフィードスルー電圧の変動を引き起こすゲート電圧波形ひずみの解析方法を,RC遅延回路を用いた解析からTFTマトリクス網を用いたマトリクス解析に拡張した.本シミュレーション技術により得られたフィードスルー電圧は,実測値と10%以内の精度で一致した.