3インチ径InP基板上へのGbit/s帯pin/HEMT受信OEICの作製

矢野 浩  道口 健太郎  村田 道夫  西山 直樹  佐々木 吾朗  林 秀樹  

誌名
電子情報通信学会論文誌 C   Vol.J77-C1   No.5   pp.285-292
発行日: 1994/05/25
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Print ISSN: 0915-1893
論文種別: 特集論文 (集積ホトニクス技術論文特集)
専門分野: 半導体デバイス
キーワード: 
受信OEIC,  GaInAs pin PD,  AlInAs/GaInAs HEMT,  3インチ径InP基板,  

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あらまし: 
InP基板上に作製された受信OEICは近年その特性を向上し,ほぼ実用性能を示すに至っている.しかし,使用する基板径は大きくても2インチであり,今後OEICを実用化していくことを考えるとウェーハ径の拡大は必須である.そこで本研究では,GaInAs pin PDとAlInAs/GaInAs HEMTを集積化したpin/HEMT受信OEICの3インチ径InP基板上への作製の検討を行った.まず,3インチ径InP基板上にOMVPE法を用いてGaInAs層,AlInAs/GaInAs HEMT構造の成長を行い,その電気的,光学的特性の良好な均一性を確認した.このエピタキシャル層を用いて3インチ径InP基板上に2.4Gbit/s帯トランスインピーダンス型受信OEICを作製した.評価の結果,3インチウェーハ面内150チップの平均帯域2.78GHz,その標準偏差280MHzと均一な帯域分布を得た.また,トランスインピーダンスは61.1dBΩ,最小受信感度は-24.9dBmであった.今回得られた受信OEICの性能およびそのウェーハ面内均一性は,3インチ径InP基板上に作製した受信OEICが十分に実用になることを示すものである.