高速走査Arレーザアニールによる低温プロセスpoly-S TFT

増茂 邦雄  結城 正記  

誌名
電子情報通信学会論文誌 C   Vol.J76-C2   No.5   pp.256-259
発行日: 1993/05/25
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Print ISSN: 0915-1907
論文種別: 特集論文 (ジャイアントマイクロエレクトロニクスとその応用論文特集)
専門分野: 
キーワード: 
poly-Si TFT,  レーザアニール,  スピン密度,  LPCVD,  

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あらまし: 
a-Si TFTと同程度の低コストプロセスでa-Si TFTより2けた電界効果移動度の大きいpoly-Si TFTを形成することを目的に高速走査Arレーザアニール法の研究を行っている.本論文では,レーザアニール後の熱処理によるpoly-Si膜の改質はESRによるスピン密度の評価の結果400℃付近で最も効果が大きく,最高温度350℃のプロセスでも良好な特性のpoly-Si TFTが形成できる,出発膜としてのa-Si膜はプラズマCVDにより製膜したものだけでなくLPCVDにより製膜したa-Si膜を用いても良好な特性のpoly-Si TFTを得ることができ,高速走査Arレーザアニール法に用いるa-Si膜の製膜にはより生産性のよい装置を選択できる,の2点について報告する.