レーザアニール法を用いた薄膜トランジスタ作製技術

鮫島 俊之  

誌名
電子情報通信学会論文誌 C   Vol.J76-C2   No.5   pp.235-240
発行日: 1993/05/25
Online ISSN: 
DOI: 
Print ISSN: 0915-1907
論文種別: 特集論文 (ジャイアントマイクロエレクトロニクスとその応用論文特集)
専門分野: 
キーワード: 
レーザ結晶化,  レーザアモルファス化,  レーザドーピング,  プラズマCVD,  水素化アモルファスシリコン,  多結晶シリコン,  

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あらまし: 
レーザ結晶化を用いた高性能多結晶薄膜トランジスタ(poly-Si TFT)の低温作製プロセスについて議論した.TFTの特性は結晶化よりむしろpoly-Siの水素化やSiO2ゲート絶縁膜に形成プロセスに大きく依存することを示した.特に低ダメージのゲート絶縁膜形成は低温プロセスにとって重要であり,リモートプラズマCVD法は大面積にわたって良好なSiO2/Si界面の形成が期待できることを示した.