a-Si:H TFTオフ電流の過渡特性

 友信  鈴木 公平  鈴木 幸治  

誌名
電子情報通信学会論文誌 C   Vol.J76-C2   No.5   pp.199-203
発行日: 1993/05/25
Online ISSN: 
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Print ISSN: 0915-1907
論文種別: 特集論文 (ジャイアントマイクロエレクトロニクスとその応用論文特集)
専門分野: 
キーワード: 
液晶ディスプレイ,  TFT,  応答,  オフ電流,  捕獲準位,  

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あらまし: 
TFTのオフ電流の過渡変化を観測した.測定方法は,TFTに画素容量に相当するコンデンサを接続し,TFT-LCDの実駆動条件でのコンデンサの電位変化を高精度に測定することで,電流変化を計算より求めた.測定サンプルは逆スタガ形TFTで,駆動条件は,ゲートオン電圧Vgs=20V,ドレーン電圧VsigVsigc±5V(Vsigc=4~10V)とした.オフ電流は,数msの時間的遅れを伴って電流の増加・減少が生じていることが判明し,オフ電流の時間変化をゲートバイアス電庄Vgsとオフ電流Idsの関係として示した.DC特性との比較を行うと,時間の経過と共にIds-Vgs曲線がVgsのプラスのバイアス側からDC特性に近づく,つまり,過渡特性曲線はプラス側にシフトすることがわかった.更に,TFTの捕獲準位を仮定することで,時間的な遅れを有するオフ電流の挙動を説明できることが明らかになった.