YBCO薄膜を用いたブリッジ形弱結合素子の特性

朴 賛勲  小林 忠行  後藤 俊成  

誌名
電子情報通信学会論文誌 C   Vol.J76-C2   No.2   pp.74-79
発行日: 1993/02/25
Online ISSN: 
DOI: 
Print ISSN: 0915-1907
論文種別: 論文
専門分野: 超伝導エレクトロニクス
キーワード: 
Y-Ba-Cu-0,  VTB,  斜め蒸着,  低エネルギーイオンビームエッチング,  定電圧ステップ,  

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あらまし: 
膜の作製には化学量論的な123組成のターゲットを用いてDCホロー陰極スパッタ法によって研磨したMgO(100)基板上に厚さ100-300nm程度のYBCO膜を堆積させる.スパッタガスAr+5%O2,スパッタガス圧820mTorr,基板温度700℃でTczero=87Kのc軸配向膜が得られた.本研究は結晶粒界を用いない,ブリッジ部を局部的に薄くした膜厚変化形ブリッジ(VTB)素子の実現を目的としている.今回我々は,ホトリソグラフイとAlの斜め蒸着と低エネルギーイオンビームエッチングを用いて85-410nmの微細加工を行いVTB素子を作製し,マイクロ波(9.67GHz)およびミリ波(94GHz)を印加する実験を行った結果,ミリ波まで応答することが明らかになった.